MOS ICs & Technology
Notas libres sobre MOS circuitos integrados y Tecnología (circuito integrado) para el aprendizaje fácil y rápido aprendizaje. Esta aplicación es en realidad un manual gratuito, que cubre todos los temas de la asignatura. Se puede considerar que esta aplicación como profesores guías con un aula en una nota.
Se puede pasar muy fácilmente y tener éxito en sus exámenes y entrevistas si usted tiene esta aplicación en su teléfono móvil, y dar una visión general durante unos días.
Cubre 114 temas de circuitos integrados MOS y Tecnología en detalle. Estos 114 temas se dividen en 8 unidades
Algunos de los temas tratados en esta aplicación son:
1. La Ley de Moore.
2. Comparación de las tecnologías disponibles
3. Los transistores MOS básicos
4. Mejora de acción modo Transistor:
5. NMOS Fabricación:
6. CMOS fabrication- P-WELL PROCESO
7. CMOS fabricación-N-WELL proceso:
8. CMOS fabricación-Twin-bañera proceso
9. La tecnología Bi-CMOS: - (bipolar CMOS):
10. La producción de máscaras de haz de electrones
11. Introducción a MOS Transistor
12. Relación entre Vgs y Ids, para un Vds fijo
13. ecuaciones MOS (ecuaciones básicas DC):
14. efectos de segundo orden
15. CARACTERÍSTICAS inveter CMOS
16. Características del convertidor DC
17. Derivación gráfica de las características del convertidor DC
18. Margen de ruido
19. Carga estática inversores MOS
20. puertas de transmisión
21. inversor de tres estados
22. palillo diagramas de codificaciones para el proceso NMOS
23. codificaciones para proceso CMOS
24. Codificación para BJT y MOSFET
25. NMOS y el estilo de diseño CMOS
26. Reglas de Diseño - MOS circuitos integrados y Tecnología
27. Vía
28. CMOS lambda reglas de diseño basado
29. Orbit 2um proceso CMOS
30. Resistencia estimación.
31. La resistencia laminar de transistores MOS
32. estimación de capacitancia
33. Retraso
34. retrasos inversor
35. formales de estimación de retardo
36. Conducción gran carga capacitiva
37. valor óptimo de f
38. Súper búfer
39. conductores BiCMOS
retardo 40. Propagación
41. Otras fuentes de capacitancia
42. Elección de las capas
43. El escalado de dispositivos MOS
44. diseño físico básico una visión general
45. diseño físico básico una visión general
46. esquemática y el diseño de básicos puertas-Inverter Puerta
47. esquemática y el diseño de básico puertas-NAND y NOR Puerta
puerta 48. Transmisión
49. CMOS de diseño estándar de celda
50. Disposición de optimización de rendimiento
51. directrices generales de diseño
52. BICMOS Lógica
53. Pseudo lógica NMOS
54. Otras variaciones de la lógica de drenaje Multi seudo nmos- y la lógica tándem
55. Otras variaciones de seudo nmos- lógica CMOS dinámica
56. Otras variaciones de seudo nmos- LÓGICA velocidad de reloj CMOS (C2MOS)
57. CMOS lógica dominó
58. cascada lógica interruptor de voltaje
lógica transistor 59. Pass
60. CMOS estructuras de circuitos lógicos tecnología
61. Escala de circuitos MOS
62. Tecnología de escala
63. Hoja de Ruta de Tecnología Internacional para Semiconductores (RTI)
64. Modelos de Escalado y factores de escala para Parámetros del dispositivo
65. Implicaciones de Escalada
66. aflicciones de interconexión
67. Radio Accesible
68. dinámico y estático de energía
69. Productividad y límites físicos
70. Limitaciones de Escalada
71. Sustrato dopaje
anchura 72. El agotamiento
73. Los límites de la miniaturización
74. Límites de interconexión y el contacto de resistencia
75. Límites debido a las corrientes subliminales
76. Límites debido a las corrientes subliminales
77. Sistema
caudal de diseño 78. VLSI
79. 3 enfoque de diseño estructurado
80. Regularidad
81. MOSFET como interruptor
82. Conexión en paralelo y serie de interruptores
INVERSOR 83. CMOS
84. Diseño NAND puerta
85. Diseño puerta NOR
Propiedades CMOS 86. Los
87. puertas complejas
88. puertas complejas AOI
Contenido Importante
Comentarios: comparte su regeneración en [email protected]
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3. Los transistores MOS básicos
4. Mejora de acción modo Transistor:
5. NMOS Fabricación:
6. CMOS fabrication- P-WELL PROCESO
7. CMOS fabricación-N-WELL proceso:
8. CMOS fabricación-Twin-bañera proceso
9. La tecnología Bi-CMOS: - (bipolar CMOS):
10. La producción de máscaras de haz de electrones
11. Introducción a MOS Transistor
12. Relación entre Vgs y Ids, para un Vds fijo
13. ecuaciones MOS (ecuaciones básicas DC):
14. efectos de segundo orden
15. CARACTERÍSTICAS inveter CMOS
16. Características del convertidor DC
17. Derivación gráfica de las características del convertidor DC
18. Margen de ruido
19. Carga estática inversores MOS
20. puertas de transmisión
21. inversor de tres estados
22. palillo diagramas de codificaciones para el proceso NMOS
23. codificaciones para proceso CMOS
24. Codificación para BJT y MOSFET
25. NMOS y el estilo de diseño CMOS
26. Reglas de Diseño - MOS circuitos integrados y Tecnología
27. Vía
28. CMOS lambda reglas de diseño basado
29. Orbit 2um proceso CMOS
30. Resistencia estimación.
31. La resistencia laminar de transistores MOS
32. estimación de capacitancia
33. Retraso
34. retrasos inversor
35. formales de estimación de retardo
36. Conducción gran carga capacitiva
37. valor óptimo de f
38. Súper búfer
39. conductores BiCMOS
retardo 40. Propagación
41. Otras fuentes de capacitancia
42. Elección de las capas
43. El escalado de dispositivos MOS
44. diseño físico básico una visión general
45. diseño físico básico una visión general
46. esquemática y el diseño de básicos puertas-Inverter Puerta
47. esquemática y el diseño de básico puertas-NAND y NOR Puerta
puerta 48. Transmisión
49. CMOS de diseño estándar de celda
50. Disposición de optimización de rendimiento
51. directrices generales de diseño
52. BICMOS Lógica
53. Pseudo lógica NMOS
54. Otras variaciones de la lógica de drenaje Multi seudo nmos- y la lógica tándem
55. Otras variaciones de seudo nmos- lógica CMOS dinámica
56. Otras variaciones de seudo nmos- LÓGICA velocidad de reloj CMOS (C2MOS)
57. CMOS lógica dominó
58. cascada lógica interruptor de voltaje
lógica transistor 59. Pass
60. CMOS estructuras de circuitos lógicos tecnología
61. Escala de circuitos MOS
62. Tecnología de escala
63. Hoja de Ruta de Tecnología Internacional para Semiconductores (RTI)
64. Modelos de Escalado y factores de escala para Parámetros del dispositivo
65. Implicaciones de Escalada
66. aflicciones de interconexión
67. Radio Accesible
68. dinámico y estático de energía
69. Productividad y límites físicos
70. Limitaciones de Escalada
71. Sustrato dopaje
anchura 72. El agotamiento
73. Los límites de la miniaturización
74. Límites de interconexión y el contacto de resistencia
75. Límites debido a las corrientes subliminales
76. Límites debido a las corrientes subliminales
77. Sistema
caudal de diseño 78. VLSI
79. 3 enfoque de diseño estructurado
80. Regularidad
81. MOSFET como interruptor
82. Conexión en paralelo y serie de interruptores
INVERSOR 83. CMOS
84. Diseño NAND puerta
85. Diseño puerta NOR
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Categoría : Educación
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